Prâna participe régulièrement à des conférences dans le cadre de salons internationaux.



Documentation technique

INCEMIC 2016: Bangladore (India)

Strong microwave electric field reached by a high power wideband amplifier for automotive application

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INCEMIC 2012: Bangalore (India)

High field levels generated by a 12 kW CW wideband power amplifier

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EuroEM 2012: Toulouse (France)

A 12 kW wideband power amplifier for strong field levels

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Thesis: Ludovic Bacqué

Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes

Résumé:

Dans un souci de réduction de la consommation des équipements de télécommunications, les concepteurs de systèmes et de sous ensembles recherchent des solutions innovantes. Pour les modules d'émission, une grande partie de cette consommation est issue des cellules amplificatrices. Dans la littérature, de nombreuses topologies ont été décrites et testées avec plus ou moins de succès. Nous proposons, dans ce manuscrit, deux topologies différentes d'amplificateurs de puissance à polarisation auto-adaptée basées sur le principe de l'"Envelope Tracking". L'alimentation variable conçue pour commander la polarisation d'un amplificateur 100Wlarge bande (50-500MHz) est construite à partir de composants commerciaux en vue d'une intégration industrielle. Avec succès, nous avons démontré le caractère large bande de cette technique en présence de deux modulations numériques (16QAM & OFDM) très utilisées pour des communications civiles et militaires sans fil. Une méthodologie complète de caractérisation et de test a aussi été proposée. Le second travail développé ici présente une nouvelle topologie d'alimentation par commutation. A partir de composants encore expérimentaux, cette alimentation a été réalisée et a montré de bons résultats validant le principe général mis en place. Cet exposé se termine par une méthodologie de conception d'amplificateurs de puissance nécessaire pour la mise au point d'une commande de polarisation efficace.

 

Thèse: Cyril Lagarde

Modélisation de transistor de puissance en technologie GaN : conception d'un amplificateur de type Doherty pour les émetteurs à puissance adaptatives

Résumé:

L'avènement des technologies de transistors de puissance sur matériaux "grand gap" tels que le Nitrure de Gallium (GaN) permet d'envisager un saut technologique majeur pour la génération de puissance à l'état solide. Cette nouvelle technologie présente des possibilités intéressantes pour des amplificateurs de puissance micro-ondes, en termes de température de fonctionnement élevée, de densités de puissance élevées et de tensions de claquage élevées. Dans une première partie, ce travail concerne le développement d'un nouveau modèle non linéaire électrothermique tabulaire comprenant les effets de pièges sur un transistor HEMT AlGaN/GaN. Ce modèle a été alors utilisé, dans la deuxième partie de cette thèse, pour concevoir un amplificateur de puissance basé sur le principe Doherty. Cependant les contraintes de linéarité et de rendement imposées dans les communications spatiales constituent, encore à l'heure actuelle, un obstacle à l'utilisation de ces technologies. Afin de traiter ces contraintes, nous avons proposé et conçu un nouvel amplificateur Doherty ayant une architecture symétrique basée sur trois transistors HEMTs GaN. Les résultats expérimentaux ont montré des possibilités intéressantes de cette nouvelle structure Doherty en termes de rendement et de linéarité.

 

NOTRE SOCIÉTÉ

L'équipe de Prâna est dynamique et innovante. Nous sommes flexibles dans notre approche de conception et d'intégration des amplificateurs. Et, notre aptitude à vous écouter nous permet de mieux comprendre vos besoins.

 

 

 

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